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元件参数资料
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参数目录33397
> 2SC5658RM3T5G TRANSISTOR NPN GP AMP SOT-723
型号:
2SC5658RM3T5G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR NPN GP AMP SOT-723
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
2SC5658RM3T5G PDF
产品变化通告
Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图
Transistor SOT-723
标准包装
8,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 5mA,60mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
215 @ 1mA,6V
功率 - 最大
260mW
频率 - 转换
180MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-723
供应商设备封装
SOT-723
包装
带卷 (TR)
其它名称
2SC5658RM3T5G-ND
2SC5658RM3T5GOSTR
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